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IRGP35B60PD-E数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IRGP35B60PD-E

参数属性

IRGP35B60PD-E 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 60A 308W TO247AD

功能描述

600V Warp2 150kHz Copack IGBT in a TO-247AD package
IGBT 600V 60A 308W TO247AD

封装外壳

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 8:31:00

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IRGP35B60PD-E规格书详情

应用 Application

·AC-DC
·Fan
·PFC
·Pump

简介

IRGP35B60PD-E属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGP35B60PD-E晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRGP35B60PD-E

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 5

  • Switching Frequency min max

    :30.0kHz 150.0kHz

  • Package 

    :TO-247

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :34.0A

  • IC(@25°) max

    :60.0A

  • ICpuls max

    :120.0A

  • Ptot max

    :308.0W

  • VCE(sat) 

    :2.25V 

  • Eon 

    :0.22mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.215mJ 

  • td(on) 

    :26.0ns 

  • tr 

    :6.0ns 

  • td(off) 

    :110.0ns 

  • tf 

    :8.0ns 

  • QGate 

    :160.0nC 

  • IF max

    :60.0A

  • VF 

    :1.3V 

  • Qrr 

    :80.0nC 

  • Irrm 

    :4.0A 

  • Ets  (max)

    :0.435mJ (0.535mJ)

  • VCE max

    :600.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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