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IRGIB15B60KD1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
IRGIB15B60KD1规格书详情
DESCRIPTION
· Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.2V@IC= 15A
· High Speed Switching
· Low Diode VF
APPLICATIONS
· Benchmark Efficiency for Motor Control.
· Industrial Drives
· Solar Inverters
产品属性
- 产品编号:
IRGIB15B60KD1P
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
卷带(TR)
- IGBT 类型:
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,15A
- 开关能量:
127µJ(开),334µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
30ns/173ns
- 测试条件:
400V,15A,22 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-220AB 整包
- 描述:
IGBT 600V 19A 52W TO220FP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR/VISHAY |
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IR |
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TO-220 |
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