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IRG4PH50UPBF

Ultra Fast Speed IGBT

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • New IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • Optimized for power conversion; SMPS, UPS and

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IRF

IRG4PH50KD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A)

文件:224.72 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRG4PH50KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件:681.01 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRG4PH50KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件:681.97 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRG4PH50KDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件:681.97 Kbytes 页数:11 Pages

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IRG4PH50KPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4PH50KPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件:372.21 Kbytes 页数:7 Pages

IRF

IRG4PH50S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=1.47V, @Vge=15V, Ic=33A)

文件:130.71 Kbytes 页数:8 Pages

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IRG4PH50S-EPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4PH50S-EPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件:225.55 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

技术参数

  • Technology :

    IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max:

    8.0kHz 30.0kHz

  • Package :

    TO-247

  • Voltage Class max:

    1200.0V

  • IC(@100°) max:

    24.0A

  • IC(@25°) max:

    45.0A

  • ICpuls max:

    90.0A

  • Ptot max:

    200.0W

  • VCE(sat) :

    2.43V 

  • Eon :

    1.21mJ 

  • Eoff(Hard Switching) :

    2.25mJ 

  • td(on) :

    35.0ns 

  • tr :

    29.0ns 

  • td(off) :

    380.0ns 

  • tf :

    280.0ns 

  • QGate :

    167.0nC 

  • Ets  (max):

    3.46mJ (4.1mJ)

  • Switching Frequency :

    Gen 4 8-30 kHz

  • VCE max:

    1200.0V

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
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TO-3P
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