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IRG4PH40UD2-EPBF_15	文件：240.21 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：240.21 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PH40UDPBF	文件：261.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：261.23 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PH40UDPBF_15	文件：261.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：261.23 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PH40UD	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PH40UD2-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a TO-247AD package Copacked 1200V IGBT in a TO-247AD package with ultrafast 5-40 kHz soft recovery diode. • Ultrafast IGBT optimized for high operating frequencies up to 200 kHz in resonant mode\n• IGBT copackaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery anti-parallel diode for use in resonant circuits\n• Industry standard TO-247AD package with extended leads\n• Lead-free\n\n优势:\n• Higher switching ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PH40UD2	文件：300 bytes Page：1 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PH40UD2-EP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 41A TO247AD	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4PH40UD-EPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 41A 160W TO247-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4PH40UDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 41A 160W TO247AC	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
1200.0V
IC(@100°) max：
21.0A
IC(@25°) max：
41.0A
ICpuls max：
82.0A
Ptot max：
160.0W
VCE(sat) ：
2.43V
Eon ：
1.8mJ
Eoff(Hard Switching) ：
1.93mJ
td(on) ：
46.0ns
tr ：
35.0ns
td(off) ：
97.0ns
tf ：
240.0ns
QGate ：
86.0nC
IF max：
130.0A
VF ：
2.6V
Qrr ：
80.0nC
Irrm ：
4.5A
Ets (max)：
1.1mJ (1.5mJ)
VCE max：
1200.0V

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