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IRFU9110	文件：62.52 Kbytes Page：7 Pages	3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs TheseareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecificlevelofenergyintheavalanchebreakdownmodeofoperation.TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switching	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRFU9110	文件：172.32 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-3.1A) DESCRIPTION ThirdGnerationMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtec	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU9110	文件：1.37621 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU9110	文件：845.12 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR9110,SiHFR9110) •Straightlead(IRFU9110,SiHFU9110) •Availableintapeandreel •P-channel •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU9110	文件：3.89222 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9110	文件：3.89837 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9110	文件：345.12 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU9110	文件：792.48 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU9110	文件：3.76945 Mbytes Page：7 Pages	Dynamic dV/dt Rating	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9110PBF	文件：1.8069 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU9110PBF	文件：1.37621 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU9110PbF	文件：3.89222 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9110PBF	文件：3.89837 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9110PBF	文件：1.68872 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFU9110PBF	文件：845.12 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU9110PBF	文件：3.76945 Mbytes Page：7 Pages	Dynamic dV/dt Rating	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
9110	文件：127.36 Kbytes Page：1 Pages	SHIELDEDADJUSTABLERFCOILS [J.W.MILLER]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
9110	文件：726.58 Kbytes Page：1 Pages	Multi-Range60VDCPowerSupplies	BKB&K Precision Corporation B & k B & k 精密机械有限公司	BK
9110	文件：268.73 Kbytes Page：1 Pages	ROUNDINSTRUMENTATIONHANDLES [KEYSTONE] ROUNDINSTRUMENTATIONHANDLES FERRULES HANDLEMOUNTINGSCREWS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
9110	文件：117.9 Kbytes Page：1 Pages	ReleasableTypeTRivets	Heyco Heyco	Heyco

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详细参数

型号：
IRFU9110
功能描述：
MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFU9110供应商更新时间2024-5-24 15:22:00

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