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IRFU3710Z	文件：218.1 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3710ZPBF	文件：275.12 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3710ZPBF	文件：4.26598 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU3710ZPBF	文件：4.26849 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU3710ZPbF	文件：688.61 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRFU3710Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 I-Pak 封装; \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRFU3710Z	文件：247.61 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU3710Z	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3710Z-701PBF	文件：4.70307 Mbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU3710ZPBF	文件：4.70307 Mbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

技术参数

VDS max：
100.0V
RDS (on) max：
18.0mΩ
RDS (on)(@10V) max：
18.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
39.0A
ID (@ TC=25°C) max：
56.0A
ID max：
56.0A
Ptot max：
140.0W
QG ：
69.0nC
Mounting ：
THT
Qgd ：
25.0nC
Tj max：
175.0°C
RthJC max：
1.05K/W
VGS max：
20.0V

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