| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRTO-251 |
6086 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
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深圳市微纳尔电子实业有限公司1年
留言
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INFINEONTO-251 |
4600 |
21+ |
只做原装,可开税票 |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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IRTO-251 |
5800 |
23+ |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
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瑞航达科技(深圳)有限公司6年
留言
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IR |
530 |
715 |
原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-251 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-251 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-251 |
22000 |
2020+ |
全新原装正品 现货库存 价格优势 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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cetTO-251 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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INFINE0NIPAK (TO-251) |
32568 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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IRTO251(TO252-3) |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IR/INFITO-251 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2513 Short Leads IPak TO251A |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRI-PAK |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRI-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
1670 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO251 |
6528 |
2018+ |
只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO251 |
75752 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
IRFU3710采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFU3710图片
IRFU3710ZPBF价格
IRFU3710ZPBF价格：￥6.9184品牌：INTERNATIONAL
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IRFU3710Z资讯
IRFU3710ZPBF
IRFU3710ZPBF
IRFU3710Z中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFU3710Z功能描述:MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFU3710Z-701P功能描述:MOSFET N-CH 100V 42A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFU3710ZPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
