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IRFU320B	文件：672.47 Kbytes Page：9 Pages	400V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFU320B	文件：345.45 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU320PBF	文件：1.55974 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU320PBF	文件：4.07629 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU320PBF	文件：827.67 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFY320	文件：15.61 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY320C	文件：15.61 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRK320	文件：296.52 Kbytes Page：11 Pages	MAGN-A-pakPowerModules Description ThisnewIRKseriesofMAGN-A-paksuseshighvoltagepowerdiodesintwobasicconfigurations.Thesemiconductorsareelectricallyisolatedfromthemetalbase,allowingcommonheatsinksandcompactassembliestobebuilt.Theycanbeinterconnectedtoformsinglephaseorthreephas	IRF International Rectifier	IRF
IRKC320	文件：296.52 Kbytes Page：11 Pages	MAGN-A-pakPowerModules Description ThisnewIRKseriesofMAGN-A-paksuseshighvoltagepowerdiodesintwobasicconfigurations.Thesemiconductorsareelectricallyisolatedfromthemetalbase,allowingcommonheatsinksandcompactassembliestobebuilt.Theycanbeinterconnectedtoformsinglephaseorthreephas	IRF International Rectifier	IRF
IRKD320	文件：296.52 Kbytes Page：11 Pages	MAGN-A-pakPowerModules Description ThisnewIRKseriesofMAGN-A-paksuseshighvoltagepowerdiodesintwobasicconfigurations.Thesemiconductorsareelectricallyisolatedfromthemetalbase,allowingcommonheatsinksandcompactassembliestobebuilt.Theycanbeinterconnectedtoformsinglephaseorthreephas	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFU320B
功能描述：
MOSFET 400V N-Channel B-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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