| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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14年
留言
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IRTO-251 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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16年
留言
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IRTO-252 |
4675 |
2025+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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18年
留言
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IRTO-251 |
12000 |
05+ |
原装进口 |
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6年
留言
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IRTO-251 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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3年
留言
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IRTO-251 |
7000 |
23+ |
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5年
留言
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IRTO-251 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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7年
留言
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IRTO-251 |
9999 |
10+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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10年
留言
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FSC/ON原包装原封 □□ |
4090 |
26+ |
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
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14年
留言
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FAIRCHILDTO-251 |
9526 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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11年
留言
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IRTO251 |
8850 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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16年
留言
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IRTO-251 |
4675 |
2025+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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17年
留言
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IRTO-251 |
414 |
24+ |
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6年
留言
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VISHAY-威世TO-251-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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5年
留言
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FSCTO-251 |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-251 |
10080 |
23+ |
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14年
留言
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IRTO-251 |
6489 |
2403+ |
原装现货热卖!十年芯路!坚持! |
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19年
留言
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FAIRCHILDTO-251 |
10130 |
13+ |
全新 发货1-2天 |
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18年
留言
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仙童TO-251 |
5000 |
05+ |
原装进口 |
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10年
留言
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IRTSSOP14 |
86720 |
26+ |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
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10年
留言
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IRTSSOP14 |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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IRFU330图片
IRFU3303PBF价格
IRFU3303PBF价格:¥2.6923品牌:IR
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IRFU3303中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFU330制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFU3303功能描述:MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFU3303PBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU330A功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-251AA
IRFU330B制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET
IRFU330BTU功能描述:MOSFET 400V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube






















