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IRFS640B	文件：916.61 Kbytes Page：10 Pages	200V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstan 文件：916.61 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IRFS640B	文件：1.68999 Mbytes Page：9 Pages	200V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi 文件：1.68999 Mbytes 页数：9 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFS640B	文件：23.17 Kbytes Page：1 Pages	200V N-Channel MOSFET DESCRIPTION These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild sproprietary,planar, DMOS technology. This advanced technology has been minimize on-state resistance, provide superior switchingespecially tailored to minimize on-state resistance, provid 文件：23.17 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
IRFS640A	文件：304.43 Kbytes Page：6 Pages	Improved gate charge 文件：304.43 Kbytes 页数：6 Pages	Samsung 三星	Samsung
IRFS640A	文件：59.08 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：59.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFS640A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Improved gate charge	Samsung 三星	Samsung

技术参数

PD：
43 (W)
ID：
18 (A)
V(BR) DSS：
200 (V)
RDS(on) (MAX)：
0.18 Ω 9 ID(A) 10 VGS(V)
VGS(Th)：
2.0~4.0 V 250 ID(μA)
封装：
TO-220F Package

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRFS640供应商更新时间2025-12-16 16:27:00

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