IRFR9014资料datasheet下载行情报价第3页-114ic电子网

首页 >IRFR9014>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IRFR9014TRLPBFA	文件：4.53358 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Th 文件：4.53358 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR9014TRPBF	文件：2.01341 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Th 文件：2.01341 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR9014TRPBF	文件：2.62994 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFETl Features * Vos =60V =-13A Rosion 100mQ @ Ves=10V Rosion 110m Q @ Vos=-4.5V (TYP) 文件：2.62994 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IRFR9014TRPBFA	文件：4.53358 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Th 文件：4.53358 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR9014TRR	文件：4.53358 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Th 文件：4.53358 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR9014PBF	文件：1.16375 Mbytes Page：13 Pages	Power MOSFET 文件：1.16375 Mbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR9014PBF-BE3	文件：1.16375 Mbytes Page：13 Pages	Power MOSFET 文件：1.16375 Mbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR9014TRLPBFA	文件：1.16375 Mbytes Page：13 Pages	Power MOSFET 文件：1.16375 Mbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR9014TRLPBF-BE3	文件：1.16375 Mbytes Page：13 Pages	Power MOSFET 文件：1.16375 Mbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR9014TRPBF	文件：1.02813 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.02813 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
IRFR9014
功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	IRFR9014	IR	24+	N/A	8000	全新原装正品,现货销售	询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	IRFR9014	IR	2024+	N/A	70000	柒号只做原装现货价秒杀全网	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRFR9014	IR	24+	TO-252	1523		询价
芯有半导体（深圳）有限公司	IRFR9014	IR	05+	TO-252	15000	原装进口	询价
深圳市弘为电子有限公司	IRFR9014	IR	24+	(TO-252)	1180	原装现货假一罚十	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IRFR9014	IR	23+	TO-252	20000	原装正品,假一罚十	询价
上海意淼电子科技有限公司	IRFR9014	IR	23+	NA	6500	全新原装假一赔十	询价
深圳市华来深电子有限公司	IRFR9014	IR	23+	TO-252	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市赛芯源科技有限公司	IRFR9014	VISHAY/威世通	18+	TO-252	41200	原装正品,现货特价	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRFR9014	VISHAY/威世通	20+	na	65790	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价

更多IRFR9014供应商更新时间2026-1-19 16:22:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号