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IRFR5505	文件：1.43536 Mbytes Page：5 Pages	-60V P -Channel Enhancement Mode MOSFET Description Theusesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=-60VID=-10A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFR5505	文件：108.01 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.11ohm, Id=-18A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFR5505	文件：720.54 Kbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR5505GPBF	文件：1.67771 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance VDSS=-55V RDS(on)=0.11Ω ID=-18A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth	IRF International Rectifier	IRF
IRFR5505PBF	文件：1.40006 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFR5505TR	文件：2.9483 Mbytes Page：5 Pages	Marking：IRFR5505；Package：TO-252；-60V P -Channel Enhancement Mode MOSFET GeneralFeatures VDS=-60VID=-10A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRFR5505TR	文件：1.43536 Mbytes Page：5 Pages	Marking：IRFR5505；Package：TO-252；-60V P -Channel Enhancement Mode MOSFET Description Theusesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=-60VID=-10A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFR5505GTRPBF	文件：1.64904 Mbytes Page：10 Pages	ultra low on-resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR5505PBF	文件：276.18 Kbytes Page：10 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRFR5505PBF	文件：3.91037 Mbytes Page：10 Pages	ULTRA LOW ON-RESISTANCE	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
IRFR5505
功能描述：
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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