| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOP16 |
10000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-252-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-252-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
9048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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IRTO252 |
3500 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IR原厂原装正品 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-252 |
10000 |
21+ |
只做原装正品 |
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深圳市金启宁科技有限公司10年
留言
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TI/德州仪器TSSOP16 |
14006 |
2206+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
13316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO-252 |
13397 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
8000 |
2152+ |
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原装正品假一罚十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-252 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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INFINEONTO-252 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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IRTO-252 |
6880 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
40000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO-252 |
30000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
IRFR5505采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR5505图片
IRFR5505PBF价格
IRFR5505PBF价格：￥1.0769品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRFR5505PBF多少钱，想知道IRFR5505PBF价格是多少？参考价：￥1.0769。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR5505PBF批发价格及采购报价，IRFR5505PBF销售排行榜及行情走势，IRFR5505PBF报价。
IRFR5505TRPBF资讯
IRFR5505TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR5505功能描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR5505CPBF功能描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR5505GPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Ultra Low On-Resistance
IRFR5505GTRPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -18A 110mOhm 21.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR5505HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR5505PBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR5505TR制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -18A, 110 mOhm, 21.3 nC Qg, D-Pak
IRFR5505TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 18A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRFR5505TRL功能描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR5505TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -18A 110mOhm 21.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
