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IRFR5505规格书详情
Description
The uses advanced trench technology
to provide excellent RDS(ON), low gate charge and
operation with gate voltages as low as 4.5V. This
device is suitable for use as a
Battery protection or in other Switching application.
General Features
VDS = -60V ID =-10 A
RDS(ON) < 110 mΩ @ VGS=10V
Application
Battery protection
Load switch
Uninterruptible power supply
产品属性
- 型号：
IRFR5505
- 功能描述：
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
SOT-252 |
80000 |
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IR |
23+ |
TO-252 |
35890 |
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IR |
25+ |
TO252 |
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IR |
24+ |
TO252 |
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Infineon |
23+ |
DPAK |
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INFINEON/英飞凌 |
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NA |
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NA |
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IR |
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TO-252 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
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IR |
TO252 |
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