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IRFR4105TRL	文件：4.78457 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Planar Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p 文件：4.78457 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR4105TRLPBF	文件：244.71 Kbytes Page：11 Pages	Ultra Low On-Resistance Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p 文件：244.71 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR4105TRPBF	文件：244.71 Kbytes Page：11 Pages	Ultra Low On-Resistance Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p 文件：244.71 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR4105Z	文件：206.97 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vds=55V, Rds(on)=24.5mohm, Id=30A) AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch 文件：206.97 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR4105Z	文件：1.07008 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description Specifically designed for Automotive applications, thi MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive 文件：1.07008 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI

详细参数

型号：
IRFR4105TRL
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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