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IRFR2905Z

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55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装

\n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)\n• Industry standard surface-mount power package\n• High-current carrying capability package (upto 195A, die-size;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN：

    IRFR2905ZTRPBF

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    DPAK

  • VDS max：

    55 V

  • RDS (on) @10V max：

    14.5 mΩ

  • ID @25°C max：

    59 A

  • QG typ @10V：

    29 nC

  • Polarity：

    N

  • VGS(th) min：

    2 V

  • VGS(th) max：

    4 V

  • VGS(th)：

    3 V

  • Technology：

    IR MOSFET™

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更多IRFR2905Z供应商 更新时间2026-1-29 21:08:00

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