| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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12年
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
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IRTO 252 |
9750 |
24+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
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1年
留言
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NK/南科功率TO252 |
36520 |
9420 |
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国产南科平替供应大量 |
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10年
留言
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IR原厂原装 |
12000 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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5年
留言
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IRD-Pak |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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15年
留言
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IRD-PAK |
20300 |
25+ |
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IR原装特价IRFR2905Z即刻询购立享优惠#长期有货 |
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12年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252-3 |
360000 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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15年
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IRTO-252 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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6年
留言
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IRTO-252 |
5865 |
14+ |
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14年
留言
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IRTO-252 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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3年
留言
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IRTO-252 |
20000 |
22+ |
只做原装 |
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13年
留言
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IRTO252 |
3000 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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17年
留言
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IRTO-252 |
6448 |
24+ |
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6年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-252-3 |
83500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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VISHAY-威世TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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7年
留言
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IRTO-252 |
450 |
25+ |
全新原装正品支持含税 |
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18年
留言
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IRTO-252 |
22612 |
23+ |
全新 发货1-2天 |
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IRFR2905Z图片
IRFR2905ZTRPBF价格
IRFR2905ZTRPBF价格：￥2.3556品牌：International
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IRFR2905Z中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR2905Z制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR2905ZHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 59A 3PIN DPAK - Rail/Tube
IRFR2905ZPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR2905ZTR功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR2905ZTRL功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR2905ZTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 59A 14.5mOhm 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR2905ZTRPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR2905ZTRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR2905ZTRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 59A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRFR2905ZTRRPBF功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
