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IRFR2905Z	文件：212.76 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 14.5mΩ ID = 42A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction ope 文件：212.76 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
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IRFR2905Z	文件：1.08157 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：1.08157 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR2905Z	文件：335.85 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFR2905ZPBF	文件：278.12 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 14.5m廓 , ID = 42A ) VDSS = 55V RDS(on) = 14.5mΩ ID = 42A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction ope 文件：278.12 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFR2905ZTRPBF-TP	文件：2.03553 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Application » Adaptor « Charger « Power management o SMPS Standby Power 文件：2.03553 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IRFR2905ZPBF	文件：341.96 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：341.96 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR2905ZPBF	文件：4.26084 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：4.26084 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR2905ZPBF_15	文件：341.96 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：341.96 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR2905ZTR	文件：4.07166 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：4.07166 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI

技术参数

OPN：
IRFR2905ZTRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DPAK
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
14.5 mΩ
ID @25°C max：
59 A
QG typ @10V：
29 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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