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IRFR014TRLPBF	文件：1.768 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Th 文件：1.768 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR014TRPBF	文件：1.768 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Th 文件：1.768 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR014TRPBF	文件：4.2849 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Th 文件：4.2849 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR014_10	文件：1.92902 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：1.92902 Mbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR014PBF	文件：892.51 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET 文件：892.51 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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详细参数

型号：
IRFR014
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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