| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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4年
留言
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IRTO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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11年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
6000 |
26+ |
原装现货假一罚百 |
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13年
留言
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IRTO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
留言
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VISHAY/威世明嘉莱只做原装正品现货 |
2510000 |
18+ |
TO-252 |
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8年
留言
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IRTO-252 |
580 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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8年
留言
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IRTO252 |
9800 |
24+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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8年
留言
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IRTO252 |
6700 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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15年
留言
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VISHAYN/A |
10000 |
24+ |
只做原装,实单最低价支持 |
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20年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
5000 |
20+ |
正规报关原装现货系列终端客户可以技术支持 |
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5年
留言
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VISHAY |
6000 |
21+ |
TO-252-3 (DPAK) |
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8年
留言
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TO-252VISHAY |
16000 |
2030 |
全新原装公司现货 |
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4年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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7年
留言
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VISHAYN/A |
39800 |
24+ |
原装正品现货支持实单 |
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4年
留言
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VISHAY(威世)N/A |
23500 |
23+ |
最新到货,只做原装进口 |
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12年
留言
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VISHAY/IR原厂封装 |
9025 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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16年
留言
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IRTO-252 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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12年
留言
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ir |
500000 |
25+ |
行业低价,代理渠道 |
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2年
留言
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IRTO-252 |
9000 |
24+ |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
IRFR014采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR014图片
IRFR014TRPBF价格
IRFR014TRPBF价格：￥1.3797品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFR014TRPBF多少钱，想知道IRFR014TRPBF价格是多少？参考价：￥1.3797。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR014TRPBF批发价格及采购报价，IRFR014TRPBF销售排行榜及行情走势，IRFR014TRPBF报价。
IRFR014资讯
IRFR014TRPBF正品原装MOS管，正品原装，大量现货库存热卖 IRFR014TRPBF
型号： IRFR014TRPBF品牌：IR 类别：分离式半导体产品 家庭：FET - 单 系列：- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准型 漏极至源极电压(Vdss)：60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7.7A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：200 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA 闸电荷(Qg
IRFR014中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR014功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR014_10制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFR014A功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) | TO-252AA
IRFR014PBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR014TR功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR014TRL功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR014TRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR014TRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR014TRR功能描述:MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR014TRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
