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IRFPG30	文件：1.702 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude 文件：1.702 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG30	文件：168.21 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A) Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Isolated Central Mounting Hole • Fast 文件：168.21 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFPG30	文件：993.12 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：993.12 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG30PBF	文件：1.702 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude 文件：1.702 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG30PBF	文件：1.72764 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Isolated Central Mounting Hole • Fast 文件：1.72764 Mbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFPG30_V01	文件：993.12 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：993.12 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG30PBF	文件：993.12 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：993.12 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG30	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A)	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFPG30PBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 1000V HEXFET MOSFET	Vishay 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
IRFPG30
功能描述：
MOSFET N-Chan 1000V 3.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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