| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRFPC60LC | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A) | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
MOS(场效应管) | Vishay 威世 | Vishay |
技术参数
- 漏源电压（Vdss）：
600V
- 栅源极阈值电压（最大值）：
4V @ 250uA
- 漏源导通电阻（最大值）：
400 mΩ @ 9.6A，10V
- 类型：
N 沟道
- 功率耗散（最大值）：
280W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2026-10-31 13:53:00
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