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IRFPC60LC

Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A)

Infineon

英飞凌

IRFPC60LCPBF

MOS(场效应管)

Vishay

威世科技

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    600V

  • 栅源极阈值电压(最大值):

    4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值):

    400 mΩ @ 9.6A,10V

  • 类型:

    N 沟道

  • 功率耗散(最大值):

    280W

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更多IRFPC60LC供应商 更新时间2025-10-4 19:10:00