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IRFPC60LC	文件：640.07 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION This new series of low charge Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing advanced Power MOSFETs technology the device improvements allow for reduced gate drive requirements, faster switching speeds and increased total system savings. The 文件：640.07 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFPC60LC	文件：343.43 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A) Description This new series of Low Charge HEXFET Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing advanced Hexfet technology the device improvements allow for reduced gate drive requirements, faster switching speeds and increased total system savings. The 文件：343.43 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFPC60LC	文件：689.15 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：689.15 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFPC60LC	文件：444.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：444.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFPC60LC-P	文件：110.13 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description This new series of Surface Mountable Low Charge HEXFET Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing advanced Hexfet technology the device improvements allow for reduced gate drive requirements, faster switching speeds and increased total 文件：110.13 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFPC60LCPBF	文件：640.07 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION This new series of low charge Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing advanced Power MOSFETs technology the device improvements allow for reduced gate drive requirements, faster switching speeds and increased total system savings. The 文件：640.07 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFPC60LC_V01	文件：689.15 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：689.15 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFPC60LCPBF	文件：689.15 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：689.15 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFPC60LCPBF	文件：1.41472 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：1.41472 Mbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFPC60LC	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET • Ultra low gate charge\n• Reduced gate drive requirement\n• Enhanced 30 V VGS rating;	Vishay 威世	Vishay

技术参数

漏源电压（Vdss）：
600V
栅源极阈值电压（最大值）：
4V @ 250uA
漏源导通电阻（最大值）：
400 mΩ @ 9.6A，10V
类型：
N 沟道
功率耗散（最大值）：
280W

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