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IRFPC60LC	文件：343.43 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A) Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	IRF International Rectifier	IRF
IRFPC60LC	文件：640.07 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETstechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFPC60LC	文件：444.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFPC60LC	文件：689.15 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFPC60LC-P	文件：110.13 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThisnewseriesofSurfaceMountableLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotal	IRF International Rectifier	IRF
IRFPC60LCPBF	文件：640.07 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETstechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFPC60LC_V01	文件：689.15 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFPC60LCPBF	文件：689.15 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFPC60LCPBF	文件：1.41472 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFPC60LC
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 16 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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