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IRFP064_17	文件：1.69898 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.69898 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP064_V01	文件：1.72153 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：1.72153 Mbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP064N	文件：355.64 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：355.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFP064N	文件：727.96 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology 文件：727.96 Kbytes 页数：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFP064NPBF	文件：604.12 Kbytes Page：9 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE 文件：604.12 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFP064NPBF	文件：204.54 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：204.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFP064NPBF_15	文件：604.12 Kbytes Page：9 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE 文件：604.12 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFP064PBF	文件：1.72153 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：1.72153 Mbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP064PBF	文件：1.68986 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.68986 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP064V	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET® Power MOSFET VDSS= 60V\nRDS(on)= 5.5mΩ\nID= 130ADescription\nAdvanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET p	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRFP064NPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO247
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
8 mΩ
ID @25°C max：
110 A
QG typ @10V：
113.3 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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