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IRFP044	文件：170.96 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A) Description ThirdGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP044	文件：1.996 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP044N	文件：105.25 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.020ohm, Id=53A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP044N	文件：335.02 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •UltraLowOn-resistance •FastSwitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤20mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP044NPBF	文件：1.54744 Mbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP044PBF	文件：1.996 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP044NPBF	文件：1.54744 Mbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP044NPBF_15	文件：1.54744 Mbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP044PBF	文件：1.76262 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
044RSH	文件：394.56 Kbytes Page：6 Pages	AluminumCapacitorsRadialStandard,HighVoltage	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
A-CCS-044-Z-SM	文件：558.99 Kbytes Page：1 Pages	ASS0142CO	ASSMANNASSMANN WSW COMPONENTS ASSMANN WSW组件有限公司	ASSMANN
A-CCS-044-Z-T	文件：303.68 Kbytes Page：1 Pages	ASS0981CO	ASSMANNASSMANN WSW COMPONENTS ASSMANN WSW组件有限公司	ASSMANN
AEP044SI	文件：371 Kbytes Page：1 Pages	ADSLLINETRANSFORMERSURFACEMOUNTMAGNETICS	ALLIED Allied Components International	ALLIED
ASP044XX	文件：321.96 Kbytes Page：5 Pages	eccentriclever,wireentryuncodeablesideparalleltoplugdirection	METZ METZ CONNECT GmbH	METZ
ATP044SM	文件：118.43 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountQuartzCrystal	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
AVFU044NIL	文件：120.44 Kbytes Page：5 Pages	ONEOFTHESMALLESTSNAP-ACTIONSWITCHES	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
BES044H	文件：155.09 Kbytes Page：2 Pages	InductiveSensors BESM18MI-NOC50B-S04G Basicfeatures Approval/ConformityCE UKCA cULus WEEE BasicstandardIEC60947-5-2 TrademarkGlobal	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴鲁夫巴鲁夫自动化（上海）有限公司	Balluff
BES044J	文件：164.66 Kbytes Page：2 Pages	InductiveSensors BESM18MG-NSC16F-S04G Basicfeatures Approval/ConformitycULus CE WEEE BasicstandardIEC60947-5-2 TrademarkGlobal	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴鲁夫巴鲁夫自动化（上海）有限公司	Balluff
BH044	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
DTA044E	文件：1.23561 Mbytes Page：11 Pages	PNP-100mA-50VDigitalTransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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详细参数

型号：
IRFP044
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 57 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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详细参数

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