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IRFI4019HG-117P数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRFI4019HG-117P

功能描述

150V 双 N 通道数字音频 HEXFET 功率 MOSFET,采用 TO-220 全封装(Iso)无铅无卤素封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-12 9:03:00

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IRFI4019HG-117P规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 双 N 通道 MOSFET
• 集成半桥封装
• 针对 D 类音频放大器应用进行了优化
• 低Qrr,可提高THD效率并改善效率
• 低Qg和Qsw,可提高THD效率并改善效率
 

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFI4019HG-117P

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :150.0V

  • RDS (on) max

    :95.0mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :95.0mΩ

  • Polarity 

    :N+N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :6.2A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :8.7A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :18.0W

  • QG 

    :13.0nC 

  • RthJA max

    :65.0K/W

  • Qgd(typ) 

    :3.9nC 

  • Tj max

    :150.0°C

  • VGS max

    :20.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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