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IRFI4019HG-117P中文资料150V 双 N 通道数字音频 HEXFET 功率 MOSFET，采用 TO-220 全封装（Iso）无铅无卤素封装数据手册Infineon规格书
IRFI4019HG-117P规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 双 N 通道 MOSFET
• 集成半桥封装
• 针对 D 类音频放大器应用进行了优化
• 低Qrr，可提高THD效率并改善效率
• 低Qg和Qsw，可提高THD效率并改善效率
技术参数
- 制造商编号
：IRFI4019HG-117P
- 生产厂家
：Infineon
- VDS max
：150.0V
- RDS (on) max
：95.0mΩ
- RDS (on)(@10V) max
：95.0mΩ
- Polarity
：N+N
- ID (@ TA=70°C) max
：6.2A
- ID (@ TA=25°C) max
：8.7A
- Ptot(@ TA=25°C) max
：18.0W
- QG
：13.0nC
- RthJA max
：65.0K/W
- Qgd(typ)
：3.9nC
- Tj max
：150.0°C
- VGS max
：20.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO220F |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
IR |
18+ |
TO-220F-5 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 | ||
IR |
10+ |
TO-220F-5 |
7999 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
16+PBF |
TO-220-5L |
1540 |
现货 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-220-5 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
IR |
22+ |
TO-220Full-Pak5-Pin |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
7999 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 |
