IRFHS8242中文资料25V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 2mm x 2mm PQFN 封装数据手册Infineon规格书
IRFHS8242规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 纤薄外形（小于1.0毫米）
• 与现有表面封装技术兼容
• 与 PCB 板的连接线路热阻低
• 工业标准合格
• MSL1 合格
应用 Application
• 电池保护
• 直流开关
• 隔离式初级侧 MOSFET
• 隔离式次级侧SyncRec MOSFET
• 负载开关
• 负载开关高边
• 负载开关低边
• 多相 ControlFET
• 载荷点 ControlFET
技术参数
- 制造商编号
：IRFHS8242
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IRFHS8242TRPBF
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：PQFN 2 x 2 (PG-TSDSON-6)
- VDS max
：25 V
- RDS (on) @10V max
：13 mΩ
- RDS (on) @4.5V max
：21 mΩ
- ID @25°C max
：21 A
- QG typ @4.5V
：4.3 nC
- Polarity
：N
- VGS(th) min
：1.35 V
- VGS(th) max
：2.35 V
- VGS(th)
：1.8 V
- Technology
：IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
4330 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR |
24+ |
PQFN-6 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
15+ |
QFN |
650 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
4000 |
6600 |
只做原装,假一罚十,长期供货。 |
询价 | ||
IR |
18+ |
QFN |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
QFN |
14559 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TSDSON-6 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2023+ |
PG-TSDSON-6 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
IR |
23+ |
QFN |
12500 |
全新原装现货热卖,价格优势 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TSDSON-6 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 |
