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IRFH8337中文资料采用 5mm X 6mm PQFN 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRFH8337

功能描述

采用 5mm X 6mm PQFN 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 14:15:00

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IRFH8337规格书详情

特性 Features


优势:
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Product qualification according to JEDEC standard
• Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)
• Industry standard surface-mount power package

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFH8337

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :PQFN 5 x 6 E

  • VDS max

    :30.0V

  • RDS (on) max

    :12.8mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :12.8mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :18.9mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :9.7A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :12.0A

  • ID (@ TC=100°C) max

    :22.0A

  • ID  max

    :22.0A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :35.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :3.2W

  • Ptot max

    :27.0W

  • QG 

    :4.7nC 

  • Mounting 

    :SMD

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd 

    :1.4nC 

  • Tj max

    :150.0°C

  • VGS max

    :20.0V

  • RthJC max

    :4.7K/W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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