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IRFH7911中文资料30V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,采用 PQFN 5mm x 6mm 无铅封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRFH7911

功能描述

30V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,采用 PQFN 5mm x 6mm 无铅封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 16:51:00

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IRFH7911规格书详情

特性 Features


优势:
• RoHS Compliant
• 100% Rg tested
• Low Profile (less than 0.9 mm)
• Dual N-Channel MOSFET
• Control and Synchronous MOSFETs in one package
• Low Charge Control MOSFET
• Low Rdson Synchronous MOSFET
• Intrinsic Schottky diode with Low Forward Voltage on Q2

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFH7911

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :PQFN 5 x 6 C

  • VDS max

    :30.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :3.0mΩ

  • RDS (on) max

    :3.0mΩ

  • RDS (on) max

    :3.0mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :3.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :4.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :4.0mΩ

  • Polarity 

    :N+N

  • Polarity 

    :N+N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :23.0A

  • ID (@ TA=70°C) max

    :23.0A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :28.0A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :28.0A

  • Ptot max

    :3.4W

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :3.4W

  • QG 

    :34.0nC 

  • RthJA max

    :37.0K/W

  • Tj max

    :150.0°C

  • VGS max

    :20.0V

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd(typ) 

    :11.0nC 

  • Qgd(typ) 

    :11.0nC 

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