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IRFH7911

Small PowIR MOSFETs

文件:268.37 Kbytes 页数:2 Pages

IRF

IRFH7911

30V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,采用 PQFN 5mm x 6mm 无铅封装

\n优势:\n• RoHS Compliant\n• 100% Rg tested\n• Low Profile (less than 0.9 mm)\n• Dual N-Channel MOSFET\n• Control and Synchronous MOSFETs in one package\n• Low Charge Control MOSFET\n• Low Rdson Synchronous MOSFET\n• Intrinsic Schottky diode with Low Forward Voltage on Q2;

Infineon

英飞凌

IRFH7911PBF

Control and synchronous FET in one package

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IRF

IRFH7911PBF

Control and synchronous FET in one package

文件:320.95 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRFH7911PBF_15

Control and synchronous FET in one package

文件:320.95 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRFH7911TR2PBF

Control and synchronous FET in one package

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IRF

IRFH7911TRPBF

Control and synchronous FET in one package

文件:325.34 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

技术参数

  • Package :

    PQFN 5 x 6 C

  • VDS max:

    30.0V

  • RDS (on)(@10V) max:

    3.0mΩ

  • RDS (on) max:

    3.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max:

    4.0mΩ

  • Polarity :

    N+N

  • ID (@ TA=70°C) max:

    23.0A

  • ID (@ TA=25°C) max:

    28.0A

  • Ptot max:

    3.4W

  • Ptot(@ TA=25°C) max:

    3.4W

  • QG :

    34.0nC 

  • RthJA max:

    37.0K/W

  • Tj max:

    150.0°C

  • VGS max:

    20.0V

  • Moisture Sensitivity Level :

    1

  • Qgd(typ) :

    11.0nC 

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更多IRFH7911供应商 更新时间2025-11-30 13:01:00