IRFH6200中文资料20V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 PQFN 5x6 封装数据手册Infineon规格书
IRFH6200规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 对 PCB 的热阻低（低于 0.8°C/W）
• 纤薄外形（小于0.9 毫米）
• 符合行业标准的引脚
• 与现有表面封装技术兼容
应用 Application
• eFuse
• 热插拔
• 隔离式初级侧 MOSFET
• 隔离式次级侧SyncRec MOSFET
• ORing
技术参数
- 制造商编号
：IRFH6200
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IRFH6200TRPBF
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：PG-TDSON-8
- VDS max
：20 V
- RDS (on) @10V max
：0.95 mΩ
- RDS (on) @4.5V max
：0.99 mΩ
- ID @25°C max
：49 A
- QG typ @4.5V
：155 nC
- Polarity
：N
- VGS(th) min
：0.5 V
- VGS(th) max
：1.1 V
- VGS(th)
：0.8 V
- Technology
：StrongIRFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
PQFN-8 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
IR |
21+ |
QFN |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
国际整流器 |
24+ |
PQFN-8 |
18700 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PQFN 5x6 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2023+ |
PQFN 5x6 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
PQFN |
4000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PQFN 5x6 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
PQFN |
20000 |
询价 | |||
IR |
17+ |
QFN56 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
新年份 |
DFN5*6 |
33288 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
询价 |
