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IRFH5210数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRFH5210

功能描述

100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 PQFN 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-12 14:40:00

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IRFH5210规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS

应用 Application

• 电池驱动
• 隔离式初级侧 MOSFET
• 隔离式次级侧SyncRec MOSFET

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFH5210

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRFH5210TRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TDSON-8

  • VDS max

    :100 V

  • RDS (on) @10V max

    :14.9 mΩ

  • ID @25°C max

    :55 A

  • QG typ @10V

    :40 nC

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :2 V

  • VGS(th) max

    :4 V

  • VGS(th)

    :3 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

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