IRFH5210中文资料100V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET,采用 PQFN 5x6 封装数据手册Infineon规格书
IRFH5210规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
应用 Application
• 电池驱动
• 隔离式初级侧 MOSFET
• 隔离式次级侧SyncRec MOSFET
技术参数
- 制造商编号
:IRFH5210
- 生产厂家
:Infineon
- OPN
:IRFH5210TRPBF
- Qualification
:Non-Automotive
- Package name
:PG-TDSON-8
- VDS max
:100 V
- RDS (on) @10V max
:14.9 mΩ
- ID @25°C max
:55 A
- QG typ @10V
:40 nC
- Polarity
:N
- VGS(th) min
:2 V
- VGS(th) max
:4 V
- VGS(th)
:3 V
- Technology
:IR MOSFET™
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
DFN5X6 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
QFN |
16000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
SuperSO85x6 |
20300 |
INFINEON/英飞凌原装特价IRFH5210即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
PQFN(5x6mm) |
8000 |
只做原装支持实单,有单必成。 |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
QFN |
28423 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IR |
22+ |
QFN |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TDSON-8 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2023+ |
PG-TDSON-8 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TDSON-8 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2407+ |
MOS |
30098 |
全新原装!仓库现货,大胆开价! |
询价 |