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IRFH5210

100V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET,采用 PQFN 5x6 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS;

Infineon

英飞凌

IRFH5210PBF

HEXFET Power MOSFET

文件:239.08 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFH5210PBF

Secondary Side Synchronous Rectification

文件:244.58 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRFH5210PBF_15

Secondary Side Synchronous Rectification

文件:244.58 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRFH5210TR2PBF

HEXFET Power MOSFET

文件:239.08 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFH5210TRPBF

HEXFET Power MOSFET

文件:239.08 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

技术参数

  • OPN:

    IRFH5210TRPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TDSON-8

  • VDS max:

    100 V

  • RDS (on) @10V max:

    14.9 mΩ

  • ID @25°C max:

    55 A

  • QG typ @10V:

    40 nC

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    2 V

  • VGS(th) max:

    4 V

  • VGS(th):

    3 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
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SuperSO85x6
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INFINEON/英飞凌原装特价IRFH5210即刻询购立享优惠#长期有货
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QFN
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更多IRFH5210供应商 更新时间2025-11-3 18:11:00