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IRFH4213数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRFH4213

功能描述

25V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 5mm x 6mm PQFN 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-12 14:40:00

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IRFH4213规格书详情

特性 Features


优势:
 

• 低 RDS(ON) (低于1.35 mOhms)
• 对 PCB 的热阻低(低于 1.4°C/W)
• 纤薄外形(小于0.9 毫米)
• 符合行业标准的引脚
• 与现有表面封装技术兼容
• 符合 RoHS , 无卤素
• 符合MSL1,工业认证
• FastIRFET™

应用 Application

• MultiPhase SyncFET
• 载荷点 SyncFET

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFH4213

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :25.0V

  • RDS (on) max

    :1.35mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :1.35mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :1.9mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TA=25°C) max

    :41.0A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :100.0A

  • ID (@ TC=100°C) max

    :100.0A

  • ID  max

    :100.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :3.6W

  • Ptot max

    :89.0W

  • QG 

    :26.0nC 

  • Mounting 

    :SMD

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd 

    :9.2nC 

  • Tj max

    :150.0°C

  • VGS max

    :20.0V

  • RthJC max

    :1.4K/W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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