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IRFH3702数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRFH3702

功能描述

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 3mm x 3mm PQFN 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-12 17:01:00

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IRFH3702规格书详情

特性 Features


优势:
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Product qualification according to JEDEC standard
• Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)
• Industry standard surface-mount power package
• Potential alternative to high-RDS(ON) SuperSO8 package
• Capable of being wave-soldered
 

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFH3702

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRFH3702TRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PQFN 3X3 8L

  • VDS max

    :30 V

  • RDS (on) @10V max

    :7.1 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :11.8 mΩ

  • ID @25°C max

    :42 A

  • QG typ @4.5V

    :9.6 nC

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :1.35 V

  • VGS(th) max

    :2.35 V

  • VGS(th)

    :1.8 V

  • Technology

    :StrongIRFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
21+
QFN
30000
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IR
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IR
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QFN
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QFN
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Infineon/英飞凌
21+
PQFN3X38L
6820
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