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IRFH3707PBF-1中文资料30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用PQFN 3 x 3 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRFH3707PBF-1

功能描述

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用PQFN 3 x 3 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 19:24:00

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IRFH3707PBF-1规格书详情

特性 Features


优势:
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Product qualification according to JEDEC standard
• Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)
• Industry standard surface-mount power package
• Potential alternative to high-RDS(ON) SuperSO8 package
• Capable of being wave-soldered
 

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFH3707PBF-1

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :30.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :12.4mΩ

  • RDS (on) max

    :12.4mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :17.9mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :9.4A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :12.0A

  • ID (@ TC=100°C) max

    :29.0A

  • ID  max

    :29.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.8W

  • QG 

    :5.4nC 

  • Mounting 

    :SMD

  • Tj max

    :150.0°C

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd 

    :2.2nC 

  • RthJC max

    :7.5K/W

  • VGS max

    :20.0V

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