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IRFH5220数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRFH5220

功能描述

200V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 PQFN 5x6mm 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-12 14:40:00

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IRFH5220规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS

应用 Application

• 电池驱动

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFH5220

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :200.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :99.9mΩ

  • RDS (on) max

    :99.9mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :3.0A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :3.8A

  • ID (@ TC=100°C) max

    :13.0A

  • ID  max

    :13.0A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :20.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :3.6W

  • QG 

    :20.0nC 

  • Mounting 

    :SMD

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • RthJC max

    :1.2K/W

  • VGS max

    :20.0V

  • Qgd 

    :6.3nC 

  • Tj max

    :150.0°C

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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