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IRFH5250D数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRFH5250D

功能描述

25V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用集成肖特基二极管 5mm x 6mm PQFN 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-12 14:40:00

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IRFH5250D规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 具有业内先进的品质
• 低 RDS(ON) (低于1.15 mO)
• 对 PCB 的热阻低(低于 0.8°C/W)
• 100% 经过接地电阻测试
• 纤薄外形(小于0.9 毫米)
• 符合行业标准的引脚
• 与现有表面封装技术兼容
• 工业标准合格
• MSL1 合格

应用 Application

• 隔离式初级侧 MOSFET
• 隔离式次级侧SyncRec MOSFET
• MultiPhase SyncFET
• 载荷点 SyncFET

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFH5250D

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRFH5250DTRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TDSON-8

  • VDS max

    :25 V

  • RDS (on) @10V max

    :1.4 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :2.2 mΩ

  • ID @25°C max

    :40 A

  • QG typ @4.5V

    :39 nC

  • Special Features

    :Schottky (includes Schottky like and FETky)

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :1.35 V

  • VGS(th) max

    :2.35 V

  • VGS(th)

    :1.8 V

  • Technology

    :StrongIRFET™

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