IRFHM8235中文资料25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package数据手册Infineon规格书
IRFHM8235规格书详情
特性 Features
优势:
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Product qualification according to JEDEC standard
• Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)
• Industry standard surface-mount power package
• Potential alternative to high-RDS(ON) SuperSO8 package
• Capable of being wave-soldered
技术参数
- 制造商编号
：IRFHM8235
- 生产厂家
：Infineon
- Package
：PQFN 3.3 x 3.3 B
- VDS max
：25.0V
- RDS (on)(@10V) max
：7.7mΩ
- RDS (on) max
：7.7mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
：13.4mΩ
- Polarity
：N
- ID (@ TA=70°C) max
：13.0A
- ID (@ TA=25°C) max
：16.0A
- ID max
：32.0A
- ID (@ TC=100°C) max
：32.0A
- ID (@ TC=25°C) max
：50.0A
- Ptot(@ TA=25°C) max
：3.0W
- Ptot max
：30.0W
- QG
：7.7nC
- Mounting
：SMD
- Moisture Sensitivity Level
：1
- Qgd
：2.7nC
- RthJC max
：4.1K/W
- VGS max
：20.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
53250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR |
20+ |
DFN33 |
32550 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IR |
新年份 |
DFN3*3 |
17565 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
PQFN |
55630 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DFN3.33.3-8-EP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
8PowerTDFN |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
8-PowerTDFN |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IR |
23+ |
NEW |
7000 |
询价 | |||
IRF |
23+ |
DFN |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
IR |
2022+ |
DFN3.33.3-8-EP |
5000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 |
