IRFHM9391中文资料-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 PQFN 3mm x 3mm 封装数据手册Infineon规格书
IRFHM9391规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 对 PCB 的热阻低(低于 3.8°C/W)
• 纤薄外形(小于1.05毫米)
• 符合行业标准的引脚
• 与现有表面封装技术兼容
• MSL1 合格
• P 通道MOSFET
应用 Application
• 电池保护
• 负载开关高边
• 负载开关低边
技术参数
- 制造商编号
:IRFHM9391
- 生产厂家
:Infineon
- Package
:PQFN 3.3 x 3.3 B
- VDS max
:-30.0V
- RDS (on) max
:14.6mΩ
- RDS (on)(@10V) max
:14.6mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
:22.5mΩ
- Polarity
:P
- ID (@ TC=25°C) max
:-38.0A
- ID max
:-24.0A
- ID (@ TC=100°C) max
:-24.0A
- ID (@ TA=25°C) max
:-11.0A
- ID (@ TA=70°C) max
:-9.0A
- Ptot(@ TA=25°C) max
:2.6W
- Ptot max
:33.0W
- QG
:32.0nC
- RthJC max
:3.8K/W
- Mounting
:SMD
- Moisture Sensitivity Level
:1
- Qgd
:8.0nC
- Tj max
:150.0°C
- VGS max
:25.0V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
DFN |
30000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
DFN3*3-8L |
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IR |
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QFN |
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IR |
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IR |
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DFN3X3 |
50000 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
PDFN3.3.3.3-8 |
986966 |
国产 |
询价 |