IRFHM8363中文资料30V 双个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用PQFN 3.3mm x3.3mm 无引脚的封装数据手册Infineon规格书
IRFHM8363规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 纤薄外形（小于1.1毫米）
• 符合行业标准的引脚
• 与现有表面封装技术兼容
• MSL1 合格
• 双 N 通道 MOSFET
技术参数
- 制造商编号
：IRFHM8363
- 生产厂家
：Infineon
- Package
：PQFN 3.3 x 3.3 E
- VDS max
：30.0V
- RDS (on) max
：14.9mΩ
- RDS (on)(@10V) max
：14.9mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
：20.4mΩ
- Polarity
：N+N
- ID (@ TA=25°C) max
：11.0A
- QG
：15.0nC
- RthJA max
：47.0K/W
- Moisture Sensitivity Level
：1
- Ptot(@ TA=25°C) max
：2.7W
- Qgd(typ)
：2.0nC
- Tj max
：150.0°C
- VGS max
：20.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
PQFN8 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
IR |
24+ |
PQFN8 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
21+ |
PQFN-8L(3.33.3) |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
IOR |
25+23+ |
QFN8 |
26460 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PQFN3.3X3.38L |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
INFINEON/IR |
23+ |
PQFN (3 x 3 mm) |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2023+ |
PQFN3.3X3.38L |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
QFN8 |
4000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PQFN3.3X3.38L |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
23+ |
PQFN8 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 |
