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IRFHM8363	文件：268.37 Kbytes Page：2 Pages	Small PowIR MOSFETs 文件：268.37 Kbytes 页数：2 Pages	IRF	IRF
IRFHM8363	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 PQFN 3.3mm x3.3mm 无铅封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 纤薄外形（小于1.1毫米）\n• 符合行业标准的引脚\n• 与现有表面封装技术兼容\n• MSL1 合格\n• 双 N 通道 MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFHM8363PBF	文件：304.48 Kbytes Page：9 Pages	Power Stage for high frequency buck converters 文件：304.48 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFHM8363PBF	文件：325.53 Kbytes Page：9 Pages	Compatible with Existing Surface Mount Techniques 文件：325.53 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFHM8363PBF_15	文件：325.53 Kbytes Page：9 Pages	Compatible with Existing Surface Mount Techniques 文件：325.53 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFHM8363TR2PBF	文件：304.48 Kbytes Page：9 Pages	Power Stage for high frequency buck converters 文件：304.48 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFHM8363TRPBF	文件：304.48 Kbytes Page：9 Pages	Power Stage for high frequency buck converters 文件：304.48 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
PQFN 3.3 x 3.3 E
VDS max：
30.0V
RDS (on) max：
14.9mΩ
RDS (on)(@10V) max：
14.9mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
20.4mΩ
Polarity ：
N+N
ID (@ TA=25°C) max：
11.0A
QG ：
15.0nC
RthJA max：
47.0K/W
Moisture Sensitivity Level ：
1
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.7W
Qgd(typ) ：
2.0nC
Tj max：
150.0°C
VGS max：
20.0V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRFHM8363	IR	2022+	DNF3.33.3C-8-EP	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IRFHM8363	INFINEON/英飞凌	23+	PQFN3.3X3.38L	3000	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
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更多IRFHM8363供应商更新时间2026-1-28 14:02:00

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