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IRFHM8363TRPBF中文资料IRF数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
IRFHM8363TRPBF
- 功能描述:
MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 14.9mOhms 15nC
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
3508 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR |
25+ |
QFN |
32360 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
QFN8 |
80000 |
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Infineon/英飞凌 |
23+ |
PQFN3.3X3.38L |
12700 |
买原装认准中赛美 |
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IR |
23+ |
PQFN8 |
12800 |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
PQFN3.3X3.38L |
6000 |
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IR |
24+ |
PQFN8 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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IR |
1948+ |
QFN |
6852 |
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Infineon/英飞凌 |
21+ |
PQFN3.3X3.38L |
6820 |
只做原装,质量保证 |
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