IRFHM8337中文资料30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 3.3mm X 3.3mm PQFN 封装数据手册Infineon规格书
IRFHM8337规格书详情
特性 Features
优势:
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Product qualification according to JEDEC standard
• Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)
• Industry standard surface-mount power package
• Potential alternative to high-RDS(ON) SuperSO8 package
• Capable of being wave-soldered
技术参数
- 制造商编号
：IRFHM8337
- 生产厂家
：Infineon
- Package
：PQFN 3.3 x 3.3 B/G
- VDS max
：30.0V
- RDS (on)(@10V) max
：12.4mΩ
- RDS (on) max
：12.4mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
：17.9mΩ
- Polarity
：N
- ID (@ TA=70°C) max
：9.4A
- ID (@ TA=25°C) max
：12.0A
- ID (@ TC=100°C) max
：22.0A
- ID max
：22.0A
- ID (@ TC=25°C) max
：35.0A
- Ptot(@ TA=25°C) max
：2.8W
- Ptot max
：25.0W
- QG
：5.4nC
- Mounting
：SMD
- Moisture Sensitivity Level
：1
- RthJC max
：5.0K/W
- Qgd
：2.2nC
- VGS max
：20.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
24247 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
PQFN8(3.3x3.3) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
DFN3X3 |
54815 |
百分百原装现货,实单必成,欢迎询价 |
询价 | ||
IR |
20+ |
DFN33 |
32550 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
1818+ |
DFN3X3 |
3530 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
DFN3X3 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
询价 | ||
IR |
新年份 |
DFN3*3 |
18542 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
PQFN |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DFN3X3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
