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IRFHM8330数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRFHM8330

功能描述

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-12 9:20:00

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IRFHM8330规格书详情

特性 Features


优势:
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Product qualification according to JEDEC standard
• Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)
• Industry standard surface-mount power package
• Potential alternative to high-RDS(ON) SuperSO8 package
• Capable of being wave-soldered
 

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFHM8330

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :PQFN 3.3 x 3.3 B

  • VDS max

    :30.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :6.6mΩ

  • RDS (on) max

    :6.6mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :9.9mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :13.0A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :16.0A

  • ID (@ TC=100°C) max

    :35.0A

  • ID  max

    :35.0A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :55.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.7W

  • Ptot max

    :33.0W

  • QG 

    :9.3nC 

  • Mounting 

    :SMD

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd 

    :2.5nC 

  • RthJC max

    :3.8K/W

  • Tj max

    :150.0°C

  • VGS max

    :20.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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