IRFHM8330中文资料30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package数据手册Infineon规格书
IRFHM8330规格书详情
特性 Features
优势:
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Product qualification according to JEDEC standard
• Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)
• Industry standard surface-mount power package
• Potential alternative to high-RDS(ON) SuperSO8 package
• Capable of being wave-soldered
技术参数
- 制造商编号
：IRFHM8330
- 生产厂家
：Infineon
- Package
：PQFN 3.3 x 3.3 B
- VDS max
：30.0V
- RDS (on)(@10V) max
：6.6mΩ
- RDS (on) max
：6.6mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
：9.9mΩ
- Polarity
：N
- ID (@ TA=70°C) max
：13.0A
- ID (@ TA=25°C) max
：16.0A
- ID (@ TC=100°C) max
：35.0A
- ID max
：35.0A
- ID (@ TC=25°C) max
：55.0A
- Ptot(@ TA=25°C) max
：2.7W
- Ptot max
：33.0W
- QG
：9.3nC
- Mounting
：SMD
- Moisture Sensitivity Level
：1
- Qgd
：2.5nC
- RthJC max
：3.8K/W
- Tj max
：150.0°C
- VGS max
：20.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
20+ |
DFN33 |
32550 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IR |
24+ |
DFN33 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
IR |
23+ |
PQFN3.3x3.3 |
58800 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
21+ |
DFN |
12000 |
原装正品 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DFN3X3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
PDFN3.3.3.3-8 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
IR |
23+ |
PQFN |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
PQFN3x3 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
IR |
新年份 |
DFN3*3 |
16620 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
询价 | ||
IR |
15+ |
DFN33 |
26943 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
