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IRFH5104中文资料采用 PQFN 封装的 40V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRFH5104

功能描述

采用 PQFN 封装的 40V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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IRFH5104规格书详情

特性 Features


优势:
• 低 RDS(ON) (低于3.5 mOhms) 降低通态损耗
• 对 PCB 的热阻低(低于 1.1°C/W) 实现更好地散热
• 100% 经过接地电阻测试,增强可靠性
• 纤薄外形(小于0.9 毫米),导致功率密度增加
• 符合行业标准的引脚,兼容多个供应商
• 与现有表面封装技术兼容,更容易制造
• 更加环保,符合 RoHS,无铅,无溴,无卤素
• MSL 1 符合工业认证,增强可靠性
 

应用 Application

• 电池驱动
• 隔离式初级侧 MOSFET
• 隔离式次级侧SyncRec MOSFET

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFH5104

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :40.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :3.5mΩ

  • RDS (on) max

    :3.5mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :19.0A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :24.0A

  • ID  max

    :86.0A

  • ID (@ TC=100°C) max

    :86.0A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :100.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :3.6W

  • Ptot max

    :114.0W

  • QG 

    :53.0nC 

  • Mounting 

    :SMD

  • Qgd 

    :19.0nC 

  • RthJC max

    :1.1K/W

  • VGS max

    :20.0V

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Tj max

    :150.0°C

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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