| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRFH5104 | 采用 PQFN 封装的 40V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 低 RDS(ON) (低于3.5 mOhms) 降低通态损耗\n• 对 PCB 的热阻低(低于 1.1°C/W) 实现更好地散热\n• 100% 经过接地电阻测试,增强可靠性\n• 纤薄外形(小于0.9 毫米),导致功率密度增加\n• 符合行业标准的引脚,兼容多个供应商\n• 与现有表面封装技术兼容,更容易制造\n• 更加环保,符合 RoHS,无铅,无溴,无卤素\n• MSL 1 符合工业认证,增强可靠性\n ; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
Secondary Side Synchronous Rectification 文件:244.81 Kbytes 页数:9 Pages | IRF | IRF | ||
Secondary Side Synchronous Rectification 文件:313.98 Kbytes 页数:8 Pages | IRF | IRF | ||
Secondary Side Synchronous Rectification 文件:244.81 Kbytes 页数:9 Pages | IRF | IRF |
技术参数
- VDS max:
40.0V
- RDS (on)(@10V) max:
3.5mΩ
- RDS (on) max:
3.5mΩ
- Polarity :
N
- ID (@ TA=70°C) max:
19.0A
- ID (@ TA=25°C) max:
24.0A
- ID max:
86.0A
- ID (@ TC=100°C) max:
86.0A
- ID (@ TC=25°C) max:
100.0A
- Ptot(@ TA=25°C) max:
3.6W
- Ptot max:
114.0W
- QG :
53.0nC
- Mounting :
SMD
- Qgd :
19.0nC
- RthJC max:
1.1K/W
- VGS max:
20.0V
- Moisture Sensitivity Level :
1
- Tj max:
150.0°C
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINE0N |
21+ |
PQFN 5 x 6 B |
32568 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DF5X6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DF5X6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
21+ |
DFN56G-8-EP |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
2022+ |
DF5X6 |
24189 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
24189 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
23+ |
QFN |
7000 |
询价 | |||
IR |
24+ |
DF5X6 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
IR |
17+ |
QFN |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
QFN-8 |
5000 |
全现原装公司现货 |
询价 |
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更新时间2025-11-5 13:01:00
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