IRFF110中文资料下载贸易商GESS第2页-114ic电子网

首页 >IRFF110>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
IRFL110PBF	文件：216.93 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderin	IRF International Rectifier	IRF
IRFL110PBF	文件：1.45555 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •Repetitive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL110TR	文件：1.45555 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •Repetitive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL110TRPBF	文件：1.45555 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •Repetitive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL110TRPBF	文件：1.46639 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFETs •175°CMaximumJunctionTemperature •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFL110TRPBFA	文件：2.02105 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFM110A	文件：263.83 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.289Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFQ110	文件：25.05 Kbytes Page：2 Pages	QUADN-CHANNELENHANCEMENTMOSFETS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFR110	文件：60.03 Kbytes Page：7 Pages	4.7A,100V,0.540Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs 4.7A,100V,0.540Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseadvancedpowerMOSFETsaredesignedforuse	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFR110	文件：1.37078 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Power	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

<<<123 4 5 6 >>>

详细参数

型号：
IRFF110
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 3-Pin TO-39
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 100V 3.5A 3PIN TO-39 - Bulk
功能描述：
N CH MOSFET 100V 3.5A TO-20
功能描述：
MOSFET N TO-39
功能描述：
MOSFET, N, TO-39
功能描述：
N CH MOSFET, 100V, 3.5A, TO-205AF; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
3.5A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
600mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
No

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IRFF110	INTERSIL	24+	TO-39	1931		询价
深圳市星佑电子有限公司	IRFF110	HAR	06+	原厂原装	4244	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市弘为电子有限公司	IRFF110	IOR	24+	CAN3	5000	原装现货假一罚十	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IRFF110	HARRIS	23+	CAN3	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市博浩通科技有限公司	IRFF110	HAR	23+	CAN	13550	优势库存	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IRFF110	GESS	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	IRFF110	IR	24+	SMD	4	“芯达集团”专营军工百分之百原装进口	询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	IRFF110	IR	21+	CAN3	12588	原装正品,自己库存假一罚十	询价
深圳市昊创电子有限公司	IRFF110	HARRIS	专业铁帽	CAN3	5000	原装铁帽专营,代理渠道量大可订货	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	IRFF110	IR	23+		65480		询价

更多IRFF110供应商更新时间2025-7-19 10:50:00

详细参数

相关规格书

相关库存