IRFD123中文资料威世数据手册PDF规格书
IRFD123规格书详情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
FEATURES
• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• For Automatic Insertion
• End Stackable
• 175 °C Operating Temperature
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Lead (Pb)-free Available
产品属性
- 型号：
IRFD123
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
92+ |
DIP-4 |
4 |
原装 |
询价 | ||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
MOT |
25+ |
DIP-4 |
2987 |
绝对全新原装现货供应! |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
DIP |
15448 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
VISHAY |
23+24 |
DIP-4 |
29840 |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
询价 | ||
IR |
22+ |
HD-1 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
HAR |
21+ |
HD-1 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
57000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
HAR |
24+ |
SOT-2593&NBS |
4500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
DIP-4 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 |
