IRFD113中文资料威世数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
IRFD113
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VishayVishay |
NEW- |
MOSFETs |
100000 |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP |
询价 | ||
IR |
2023+ |
DIP-4 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
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IR |
DIP-4 |
68500 |
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IR |
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DIP-4 |
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VIS |
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DIP |
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IR |
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IR |
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DIP-4 |
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HARRIS |
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